全耗尽围栅金属氧化物半导体场效应管二维模型

• 作者: 刘林林 尤一龙 徐进朋 李尊朝
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 围栅 表面势 阈值电压 短沟道效应
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 73-77
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

针对深亚微米围栅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的短沟道效应随沟道长度减小而愈加明显,以及移动电荷在器件强反型区对表面势影响显著的问题,提出了一种全耗尽围栅MOSFET二维模型.同时考虑耗尽电荷和自由电荷的影响,结合沟道与氧化层界面处的边界条件,求解一维泊松方程,得到一维电势分布模型,然后结合器件源漏处的边界条件求解拉普拉斯方程,最终得到全耗尽围栅MOSFET精确的二维表面势模型,并在此基础上得到了阈值电压、亚阈值斜率等电学参数的解析模型.利用Sentaurus软件对解析模型进行了验证,结果表明:该模型克服了本征模型在重掺杂情况下失效和仅考虑耗尽电荷的模型在强反型区失效的缺点,在不同沟道掺杂情况下从亚阈值区到强反型区都适用;与原有模型相比,该阈值电压模型的误差减小了45.5%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘林林	西安交通大学电子与信息工程学院	16	141	6.0	11.0
2	李尊朝	西安交通大学电子与信息工程学院	31	275	8.0	16.0
3	尤一龙	西安交通大学电子与信息工程学院	3	6	2.0	2.0
4	徐进朋	西安交通大学电子与信息工程学院	3	6	2.0	2.0