高功率微波作用下金属氧化物半导体场效应管响应

• 作者: 夏洪富 宣春 李勇 杨志强 谢海燕
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 高功率微波 金属氧化物半导体场效应管 半导体
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 武器装备电子学系统复杂电磁环境效应机理
• 页码范围: 210-215
• 页数: 6页
• 分类号: O411.3
• 字数: 4126字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201527.103242

摘要

采用基于半导体漂移扩散模型的数值模拟软件对高功率微波(HPM)作用下金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的响应进行了数值模拟研究.对MOSFET在HPM作用下的输出特性以及器件内部响应进行了数值模拟.计算结果表明,在MOSFET栅极加载HPM后,随着注入HPM幅值的增大,会使得器件的正向电压小于开启电压,从而使得输出电流的波形发生形变.在器件内部,导电沟道靠近源极一端的电场强度最大,热量产生集中在这一区域.在脉冲正半周期时,温度峰值位于沟道源极一端,负半周期时,器件内部几乎没有电流,器件内的温度峰值在热扩散效应的影响下趋向于导电沟道中部.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢海燕		10	58	3.0	7.0
2	杨志强		14	84	4.0	9.0
3	李勇		12	49	3.0	6.0
4	宣春		9	77	3.0	8.0
5	夏洪富		8	58	3.0	7.0