一种围栅金属氧化物半导体场效应管阈值电压模型

• 作者: 刘林林 尤一龙 徐进朋 李尊朝
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 阈值电压 圆柱形围栅 多晶硅耗尽 表面势
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 77-81
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

针对深亚微米金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)多晶硅耗尽效应加剧问题,提出了一种全耗尽圆柱形围栅MOSFET阈值电压解析模型.通过求解多晶硅耗尽层电势泊松方程,得到多晶硅耗尽层上的压降,用以修正沟道区的通用边界条件.然后利用叠加原理求解沟道二维电势泊松方程,建立了圆柱形围栅MOSFET的表面势和阈值电压解析模型,并利用器件数值仿真软件Sentaurus对解析模型进行了验证.研究结果表明,衬底掺杂原子浓度越高,或多晶硅掺杂原子浓度越低,多晶硅耗尽层上的压降就越大,阈值电压偏移也越显著.与现有模型相比,该解析模型的精确度提高了34%以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘林林	西安交通大学电子与信工程学院	16	141	6.0	11.0
2	李尊朝	西安交通大学电子与信工程学院	31	275	8.0	16.0
3	尤一龙	西安交通大学电子与信工程学院	3	6	2.0	2.0
4	徐进朋	西安交通大学电子与信工程学院	3	6	2.0	2.0