全耗尽SOI LDMOS阈值电压的解析模型

• 作者: 吴秀龙 柯导明 陈军宁
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: SOI LDMOS 阈值电压 准二维方法
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 页码范围: 17-20
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2007.11.005

摘要

通过准二维的方法,求出了全耗尽S0I LDMOS晶体管沟道耗尽区电势分布的表达式,并建立了相应的阈值电压模型.将计算结果与二维半导体器件模拟软件MEDICI的模拟结果相比较,两者误差较小,证明了本模型的正确性.从模型中可以容易地分析阈值电压与沟遭浓度、长度、SOI硅膜层厚度以及橱氧化层厚度的关系,并且发现ΔVth与背栅压的大小无关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴秀龙	安徽大学电子科学与技术学院	56	135	6.0	8.0
2	柯导明	安徽大学电子科学与技术学院	83	423	10.0	17.0
3	陈军宁	安徽大学电子科学与技术学院	160	1135	16.0	26.0