BSIM SOI阈值电压模型参数的提取

• 作者: 李多力 李瑞贞 杜寰 海潮和 韩郑生
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 参数提取 阈值电压 遗传算法
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 33-36
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2502字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.01.009

摘要

阈值电压是MOSFET最重要的参数,阈值电压模型是MOSFET模型中最重要的部分.目前模型参数的提取主要通过商业软件来完成,商业软件由于价格昂贵以及内部机理的复杂性限制了它们的应用.本文提出了遗传算法和局部优化相结合来提取BSIM SOI阈值电压模型参数的方法,该方法简单易用,且具有较高的精确度,适合推广使用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
3	杜寰	中国科学院微电子研究所	41	108	5.0	6.0
4	李多力	中国科学院微电子研究所	16	52	4.0	6.0
5	李瑞贞	中国科学院微电子研究所	8	22	3.0	4.0