基于PSP-SOI,BSIM-IMG和HiSIM-SOTB的DG SOI建模与仿真

• 作者: 刘军 吴钰鑫 汪国芳 罗琳
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: PSP-SOI BSIM-IMG HiSIM-SOTB 双栅 MOSFET 直流特性
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 页码范围: 7-13
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13954/j.cnki.hdu.2020.03.002

摘要

基于p型衬底的DG SOI MOSFET器件,分析了PSP-SOI,BSIM-IMG和HiSIM-SOTB模型器件建模的可适用性.对3种模型的物理机理和数学方程进行研究,提取器件的直流特性及参数值.实验数据对比结果表明:相比PSP-SOI和HiSIM-SOTB,BSIM-IMG的仿真精度分别提高了2.08％ 和7.10％.所以,BSIM-IMG更适用于DG SOI MOSFET器件直流特性建模.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘军	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	30	47	4.0	6.0
2	汪国芳	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	2	0	0.0	0.0
3	吴钰鑫	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	2	0	0.0	0.0
4	罗琳	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	2	0	0.0	0.0