基于PSP的MOSFET射频建模

• 作者: 刘军 孙玲玲 楼立恒
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 建模 射频寄生 解析提取
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 页码范围: 5-8
• 页数: 4页
• 分类号: TN401
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9146.2009.04.002

摘要

基于PSP模型提出一种新的RF-MOSFET模型.针对实际器件的物理结构,解析提取了RF条件下MOSFET的寄生参量.最终,将模型应用到某工艺线一共源连接n-MOSFET上,在保证PSP精确拟合直流特性的前提下,在高达40GHz的频率下对S参数的仿真和测试结果进行比较,具有一定的精度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙玲玲	杭州电子科技大学电子信息学院	68	213	8.0	9.0
2	刘军	杭州电子科技大学电子信息学院	30	47	4.0	6.0
3	楼立恒	杭州电子科技大学电子信息学院	1	0	0.0	0.0