多胞MOSFET器件的射频建模和参数提取

• 作者: 于盼盼 周影 高建军
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 小信号模型 模型参数提取 趋肤效应 多胞模型
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 页码范围: 550-553,562
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 954字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2017.05.007

摘要

对纳米级金属氧化物半导体场效应管器件提出了改进的小信号模型.该改进模型中综合考虑了馈线的趋肤效应和器件多胞结构的影响.提取过程中,根据可缩放规律,由传统模型的参数推导出元胞参数.将模型应用于8 ×0.6×12 μm(栅指数×栅宽×元胞数量)、栅长为90 nm的MOSFET器件在1～ 40 GHz范围内的建模,测试所得S参数和模型仿真所得S参数能够高度地吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高建军	华东师范大学信息科学技术学院电子工程系	24	42	3.0	5.0
2	周影	华东师范大学信息科学技术学院电子工程系	4	21	2.0	4.0
3	于盼盼	华东师范大学信息科学技术学院电子工程系	3	2	1.0	1.0