基于器件仿真的参数提取方法研究

• 作者: 吴龙胜 唐威 方勇 陈超 韩本光
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: SOI 参数提取 器件仿真 工艺参数
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 所属期刊栏目: 设计验证与测试
• 页码范围: 6-8
• 分类号: TP274|TN710
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2010.08.002

摘要

介绍器件参数提取的意义,并对基于工艺的参数提取和基于器件仿真的参数提取两种方法进行了比较.根据0.35 μm SOI CMOS工艺参数,构造出部分耗尽SOI NMOS结构.基于BSIM SOI模型采用局部优化,单器件提取的策略进行参数提取.最后通过将仿真与实际测试得到的参数比较,验证了该方法的准确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴龙胜		50	120	6.0	8.0
2	唐威		25	90	6.0	8.0
3	韩本光		7	14	2.0	3.0
4	陈超		3	6	1.0	2.0
5	方勇		3	6	1.0	2.0