碳化硅MOSFET的变温度参数建模

• 作者: 吴红飞 孙凯 邢岩 陆珏晶 黄立培
• 来源期刊: 中国电机工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅MOSFET 变温度参数 PSpice建模 Buck变换器
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 电力电子与电力传动
• 页码范围: 37-43,前插5
• 页数: 8页
• 分类号: TM85
• 字数: 4354字
• 语种: 中文

摘要

为在全温度范围内准确反映碳化硅(silicon carbide,SiC)MOSFET的工作特性,提出一种基于Pspice仿真软件的SiC MOSFET变温度参数模型.该模型中引入温控电压源和温控电流源以补偿SiC MOSFET静态特性随温度的变化,同时着重考虑了SiC MOSFET的低温特性和驱动电路负压的影响.详细阐述建模原理,分析各个关键参数对SiC MOSFET静态特性及动态特性的影响,给出建模原理.搭建基于Buck变换器的SiC MOSFET测试实验样机,在不同电压点、电流点及温度点(-25～125℃)下进行实验测试,并将测试结果与基于变温度参数Pspice模型的仿真波形和损耗估算结果进行比较.比较结果高度吻合,功率损耗误差在10％以内,验证了提出的变温度参数模型的准确性和有效性,为实际应用中采用SiC MOSFET器件进行系统分析和效率评估提供了重要的依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄立培	清华大学电机系电力系统国家重点实验室	74	2340	26.0	47.0
2	孙凯	清华大学电机系电力系统国家重点实验室	51	1027	15.0	31.0