三维功率MOSFET器件的热可靠性设计

• 作者: 丁召 傅兴华 杨发顺 林洁馨 马奎
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 热可靠性设计 MOSFET 三维集成技术 功率器件 硅通孔布局 散热 热阻降低
• 年，卷（期）: 2019,（12）
• 所属期刊栏目: 电子与信息器件
• 页码范围: 81-85
• 页数: 5页
• 分类号: TN626-34
• 语种: 中文
• DOI: 10.16652/j.issn.1004-373x.2019.12.019

摘要

基于三维集成技术的功率MOSFET器件,在发热量大和散热难的双重压力下,热可靠性设计凸显得尤为重要.文中采用硅通孔散热方式,在三维功率器件内嵌入大量的散热硅通孔,以降低芯片内热阻,疏导功率器件产生的热量,保证器件有源区结温低于极限安全结温,可有效提高芯片的热可靠性.以100 V,60 A的功率VDMOS器件为研究对象,以提高芯片的热可靠性为目的,合理设计和充分优化了三维功率MOSFET器件的版图和散热硅通孔的布局.基于多物理场分析软件开展了大量的热可靠性仿真分析工作,并流片验证了设计的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅兴华	贵州大学大数据与信息工程学院	57	181	8.0	9.0
2	丁召	贵州大学大数据与信息工程学院	67	161	6.0	8.0
3	杨发顺	贵州大学大数据与信息工程学院	54	125	5.0	8.0
4	马奎	贵州大学大数据与信息工程学院	35	52	4.0	5.0
5	林洁馨	贵州大学大数据与信息工程学院	10	11	2.0	2.0