改善微波功率器件可靠性的方法

• 作者: 冯彬 潘宏菽
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 微波 功率晶体管 浅结 镇流电阻 击穿电压 预匹配
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 电子元器件与可靠性
• 页码范围: 29-32
• 页数: 4页
• 分类号: TN385|TN323+.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2016.03.006

摘要

微波功率器件因其具有体积小、可靠性高等优点而被广泛地运用在了微波通讯系统、遥测系统、雷达、电子对抗和导航等领域.但是,由于硅微波双极功率器件的结比较浅、基区比较窄,因而其击穿电压往往较低,从而对器件的大功率输出和抗烧毁能力造成了一定的不利影响.因此,从提高击空电压、镇流电阻设计、降低基区电阻设计、预匹配的选择和宽带半导体材料的采用等方面对提高硅微波双极功率器件的可靠性的具体措施进行了研究,对于改善硅微波双极功率器件的性能、提高其可靠性具有重要的指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯彬		2	1	1.0	1.0
2	潘宏菽		7	38	4.0	6.0