3300 V SiC MOSFET栅氧可靠性研究

• 作者: 李诚瞻 白云 陈喜明 陈宏
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 3300 V SiC MOSFET 高温栅偏 栅氧 可靠性
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 宽禁带器件应用技术专题
• 页码范围: 10-14
• 页数: 5页
• 分类号: TM56
• 字数: 2057字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2020.4.10

摘要

碳化硅SiC(silicon carbide)功率器件因其卓越的材料性能,表现出巨大的应用前景,其中金属-氧化物-场效应晶体管MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)是最重要的器件.3300 V SiC MOSFET可应用于轨道交通和智能电网等大功率领域,能显著提高效率,降低装置体积.在这些应用领域中,对功率器件的可靠性要求很高,为此,针对自主研制的3300 V SiC MOSFET开展栅氧可靠性研究.首先,按照常规的评估技术对其进行了高温栅偏HTGB(high temperature gate bias)试验;其次,针对高压SiC MOSFET的特点进行了漏源反偏时栅氧电热应力的研究.试验结果表明,在高压SiC MOSFET中,漏源反偏时栅氧的电热应力较大,在设计及使用时应尤为注意.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	白云	中国科学院微电子研究所	19	37	4.0	6.0
2	陈宏	中国科学院微电子研究所	34	198	9.0	13.0
3	李诚瞻		6	0	0.0	0.0
4	陈喜明		3	0	0.0	0.0