抗辐射SOI器件栅氧可靠性研究

• 作者: 刘国柱 吴建伟 谢儒彬 顾祥
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 抗总剂量辐射加固 栅氧 可靠性 TDDB
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 页码范围: 40-43
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 3255字
• 语种: 中文

摘要

对抗辐射SOI器件栅氧可靠性进行研究，比较了体硅器件、SOI器件、抗总剂量加固SOI器件的栅氧可靠性，发现SOI材料片的制备与抗总剂量加固过程中的离子注入工艺都会对顶层硅膜造成影响，进而影响栅氧可靠性。最后通过恒压应力法表征栅氧介质随时间击穿（TDDB）的可靠性，结果显示抗总剂量辐射加固工艺的12.5 nm栅氧在125℃高温5.5 V工作电压下TDDB寿命达到14.65年，满足SOI抗总剂量辐射加固工艺对栅氧可靠性的需求。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘国柱		15	32	4.0	4.0
2	顾祥		9	10	2.0	2.0
3	吴建伟		25	39	4.0	4.0
4	谢儒彬		9	22	3.0	4.0