SOI抗总剂量辐射加固工艺栅氧可靠性研究

• 作者: 刘国柱 吴建伟 周淼 高向东
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 抗总剂量辐射加固 栅氧 可靠性 QBD tBD VBD TDDB
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 页码范围: 44-48
• 分类号: TN306
• 字数: 1403字
• 语种: 中文

摘要

文章对采用了埋层二氧化硅抗总剂量加固工艺技术的SOI器件栅氧可靠性进行研究,比较了干法氧化和湿法氧化工艺的栅氧击穿电荷,干法氧化的栅氧质量劣于湿法氧化.采用更敏感的12.5nm干法氧化栅氧工艺条件,对比采用抗总剂量辐射加固工艺前后的栅氧可靠性.抗总剂量辐射加固工艺降低了栅氧的击穿电压和击穿时间.最后通过恒压法表征加固工艺的栅氧介质随时间击穿(TDDB)的可靠性,结果显示抗总剂量辐射加固工艺的12.5nm栅氧在常温5.5V工作电压下TDDB寿命远大于10年,满足SOI抗总剂量辐射加固工艺对栅氧可靠性的需求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘国柱		15	32	4.0	4.0
2	吴建伟		25	39	4.0	4.0
3	高向东		6	22	4.0	4.0
4	周淼		4	13	2.0	3.0