双栅氧CMOS工艺研究

• 作者: 宋李梅 李桦 杜寰 韩郑生
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 双栅氧工艺 高压CMOS流程
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 页码范围: 5-6,9
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2005.11.002

摘要

双栅氧工艺(dual gate oxide)在高压CMOS流程中得到了广泛的应用,此项工艺可以把薄栅氧器件和厚栅氧器件集成在同一个芯片上.文章介绍了常用的两种双栅氧工艺步骤并分析了它们的优劣.在此基础上,提出了一种实现双栅氧工艺的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	宋李梅	中国科学院微电子研究所	18	56	5.0	5.0
3	李桦	中国科学院微电子研究所	6	36	3.0	6.0
4	杜寰	中国科学院微电子研究所	41	108	5.0	6.0