用不同方法评价0.18μm CMOS 工艺栅氧击穿电压和击穿电量

• 作者: 万星拱 卜皎 徐向明 曹刚 赵毅
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 栅氧可靠性 击穿电压 击穿电量 电压扫描 电流扫描
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 290-293
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1016字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.02.017

摘要

利用击穿电压和击穿电量这两个参数评价标准0.18μm CMOS工艺栅氧的可靠性,获得击穿电压和击穿电量的两个常用方法是电压扫描法和电流扫描法.对用这两种方法得到的击穿电压和击穿电量进行了对比.通过对比,发现测试方法对击穿电压的影响非常小.但是测试方法却可以在很大程度上影响击穿电量.用电流扫描法获得的击穿电量要比用电压扫描法的要大,这一差别可以从两种方法不同的电流-电压曲线中得到解释.同时,通过考察Weibull分布的斜率还发现,击穿电压值的分布斜率要比击穿电量大的多,而且曲线拟合得更好.这说明用击穿电压获得的分析结果更可靠.综合以上结果,可以认为对0.18μm CMOS工艺可靠性评价而言,击穿电压是比较合适的评价指标.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	万星拱		7	18	3.0	3.0