钝化介质层对功率GaAs MESFET的栅-漏击穿特性影响

• 作者: 费庆宇 黄云
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 栅-漏极电容-频率 高频电容-电压 栅-漏反向击穿电压 慢界面陷阱密度 钝化层
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 专家论坛
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2004.02.001

摘要

用直接测定GaAs MESFET的栅-漏极电容-频率(C-f)和高频电容-电压(C-V)的方法,研究了钝化层-半导体界面的慢界面陷阱电荷对栅-漏反向击穿特性的影响,为解决GaAs MESFET的栅-漏反向击穿特性不良和不稳定提供了依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄云		21	234	10.0	14.0
5	费庆宇		5	31	2.0	5.0