功率GaAs MESFET大信号建模

• 作者: 于洪喜 易卿武
• 来源期刊: 空间电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 功率GaAs MESFET 大信号建模 Curtice立方模型
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 15-22
• 页数: 8页
• 分类号: TN91
• 字数: 3648字
• 语种: 中文

摘要

精确的器件大信号模型是成功设计微波非线性电路的基础.本文详细介绍了根据测量的Cold-FET S参数、正常工作偏置下的S参数及脉冲Ⅰ-Ⅴ特性来建立功率GaAs MESFET的Curtice立方大信号模型的方法,利用该方法建立的器件大信号模型精度高,具有较高工程实用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于洪喜		10	98	5.0	9.0
2	易卿武		2	11	2.0	2.0