SiC MESFET微波功率测试技术

• 作者: 李亮 潘宏菽 王同祥
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微波功率 测试 SiC MESFET 输出功率
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 239-241
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.07
• 字数: 1668字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.061

摘要

对SiC MESFET的微波测试技术进行了分析,并针对这一采用第三代半导体材料研制的器件,结合硅微波双极功率晶体管和GaAs MESFET的测试技术,建立了SiC MESFET的微波测试系统,完成了2GHz工作频率下瓦级功率输出SiC MESFET的测试,功率增益大于6dB,器件的fT为6.7GHz,fmax达25GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李亮		18	77	4.0	8.0
2	潘宏菽		9	26	3.0	4.0
3	王同祥		4	14	2.0	3.0