导通和半绝缘衬底上的SiC MESFET

• 作者: 张涛 李哲洋 柏松 汪浩 蒋幼泉 陈刚
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 导通衬底 半绝缘衬底 MESFET 微波功率
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 382-384
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 字数: 947字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.097

摘要

分别在导通和半绝缘4H-SiC衬底上外延生长了MESFET结构并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25～30mS/mm,击穿电压大于120V.导通衬底上的SiC MESFET在2GHz 50V工作时饱和输出功率为1.75W;在相同条件下半绝缘衬底的SiC MESFET饱和输出功率为3.38W,64V工作时最大输出功率超过4W.缓冲层参数的不同是造成微波性能差异的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈刚	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室	19	61	5.0	7.0
2	蒋幼泉	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室	34	192	9.0	11.0
3	李哲洋	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室	11	71	5.0	8.0
4	柏松	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室	20	83	6.0	8.0
5	张涛	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室	2	5	1.0	2.0
6	汪浩	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室	2	5	1.0	2.0