InP衬底上电容和电阻的建模

• 作者: 何丹 孙玲玲
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 射频 高电阻率 寄生效应
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 5-8
• 页数: 4页
• 分类号: TN401
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9146.2006.05.002

摘要

在射频集成电路中,InP衬底的高电阻率导致了低衬底损耗以及器件和电路性能的提高.该文提出了InP衬底上MIM电容和电阻的简单而精确的等效电路模型.测量结果与等效电路的仿真结果拟合得非常好,从而证明该文提出的模型足以准确地描述InP衬底上MIM电容和电阻的电磁场特性.另外,InP和GaAs同属于III-IV族化合物,它们具有相似的性质,因此,该文提出的模型同样适用于GaAs衬底上的电容和电阻.