RTD与HEMT在InP衬底上的单片集成

• 作者: 张杨 戴扬 曾一平 杨富华 王良臣 马龙
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 共振隧穿二极管 高电子迁移率晶体管 磷化铟 单片集成
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 414-417
• 页数: 4页
• 分类号: T313+.2
• 字数: 1285字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.106

摘要

在半绝缘的50nm InP衬底上采用分子束外延的方法生长了RTD与HEMT的集成材料结构.RTD室温下峰谷电流比最高达到18.39,阻性截止频率大于20.05GHz.栅长为1μm的HEMT截止频率为19.8GHz,最大跨导为237mS/mm.由多个RTD串联形成的多峰值逻辑以及HEMT栅压调节RTD电流的特性也得以验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾一平	中国科学院半导体研究所	85	439	11.0	16.0
2	张杨	中国科学院半导体研究所	43	179	7.0	12.0
3	马龙	中国科学院半导体研究所	50	495	14.0	21.0
4	王良臣	中国科学院半导体研究所	31	192	8.0	13.0
5	杨富华	中国科学院半导体研究所	49	227	9.0	14.0
6	戴扬	中国科学院半导体研究所	2	5	2.0	2.0