InP基RTD太赫兹振荡源及其应用研究进展

• 作者: 张健 石向阳 苏娟 谭为
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 共振隧穿二极管 太赫兹源 振荡器 太赫兹通信
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 太赫兹科学技术
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: TN43
• 字数: 2756字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201801.0001

摘要

紧凑和相干的太赫兹源是太赫兹应用的关键组成,共振隧穿二极管(RTD)是目前振荡频率最高的电子学器件,RTD太赫兹振荡源具有结构紧凑、功耗低、室温工作、有一定输出功率、易集成、覆盖频率较宽等优点.InP基RTD太赫兹振荡源在600 GHz左右的频段内输出功率可达百微瓦量级,可见报道的最高振荡频率为1.92 THz,输出功率0.4 μW.RTD振荡源的输出功率可以通过偏置电压进行直接调制,使得其在高容量短距离的太赫兹通信系统中具有很大的优势.目前,InP基RTD太赫兹振荡源成为太赫兹源领域的研究热点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张健	中国工程物理研究院电子工程研究所	80	595	12.0	20.0
2	谭为	中国工程物理研究院电子工程研究所	6	7	1.0	2.0
6	苏娟	中国工程物理研究院电子工程研究所	3	13	1.0	3.0
10	石向阳	中国工程物理研究院电子工程研究所	3	1	1.0	1.0