高功率CMOS太赫兹压控振荡器设计

• 作者: 郑原野 高明杰 高海军
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 太赫兹 压控振荡器 高功率 多层共面波导 Triple-push
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 页码范围: 20-24
• 页数: 5页
• 分类号: TN752
• 语种: 中文
• DOI: 10.13954/j.cnki.hdu.2018.02.005

摘要

在太赫兹频段,受有源器件截止频率、击穿电压以及无源器件较低品质因素的限制,信号源很难实现高功率输出.基于CM OS工艺实现高功率太赫兹压控振荡器,首先运用有源状态分析MOSFET器件,并采用多层共面波导MCPW结构优化无源器件,提高其品质因数,实现了振荡器的基波频率接近有源器件的最高振荡频率;其次,采用T riple-push结构实现三次谐波输出,并利用功率合成技术提升了谐波输出功率,实现了同时具有高频率、高功率特性的CM OS太赫兹压控振荡器.基于GF 65nm CMOS工艺的仿真结果表明,振荡频率为291 GHz时,输出功率可达-9.4 dBm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高海军	杭州电子科技大学电子信息学院	12	17	3.0	4.0
2	高明杰	杭州电子科技大学电子信息学院	1	0	0.0	0.0
3	郑原野	杭州电子科技大学电子信息学院	1	0	0.0	0.0