一种低相位噪声的CMOS毫米波压控振荡器

• 作者: 单奇星 朱玲 胡成成 高海军
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 压控振荡器 低相噪 负阻 滤波
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 页码范围: 26-31
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.13954/j.cnki.hdu.2019.03.005

摘要

基于65 nm CMOS工艺,设计了一种低相位噪声的压控振荡器.采用LC谐振回路,通过控制电压来改变电容的容值,达到振荡器输出频率可控的效果.仿真结果表明:在电源电压为1.2 V,控制电压在-3～3 V范围内变化时,振荡器的输出频率为139.4～149.3 GHz.振荡频率为140 GHz下,频偏1 MHz处的相位噪声为-91.83 dBc·Hz-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高海军	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	12	17	3.0	4.0
2	朱玲	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	10	50	3.0	7.0
3	单奇星	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	胡成成	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0