原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
应用增益补偿技术,设计了一种结构新颖的CMOS单端反相器环形压控振荡器,该电路具有较低的压控增益,较好的线性,较强的噪声抑制能力.采用1stsilicon 0.25μmCMOS工艺进行仿真,结果显示:在偏离中心频率600kHz处的相位噪声为-108dBc.
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文献信息
篇名 低噪声CMOS环型压控振荡器的设计
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 锁相环 压控振荡器 相位噪声 抖动
年,卷(期) 2004,(7) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 164-167
页数 4页 分类号 TN752
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-7180.2004.07.044
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研究主题发展历程
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锁相环
压控振荡器
相位噪声
抖动
研究起点
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期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
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9826
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