CMOS电感电容压控振荡器中对称噪声滤波技术的研究

• 作者: 杨丰林 沈绪榜 闵昊
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 射频集成电路 压控振荡器 相位噪声 噪声滤波
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 页码范围: 41-44
• 页数: 4页
• 分类号: TN752
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2007.05.013

摘要

提出一种基于CMOS电感电容压控振荡器对称噪声滤技术.仿真结果表明,对称噪声滤波技术能够在相同的功耗下改善相位噪声6dB.应用对称噪声滤波技术设计一个4.8 GHz压控振荡器,在0.25 μm CMOS工艺上制造,测试结果表明在偏高载波1MHz时相位噪声为-123.66 dBc/Hz,整个振荡器的功耗仅为12 mW,与同类型的压控振荡器比较,取得很好的PFTN指标.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闵昊	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	108	1103	18.0	27.0
2	杨丰林	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	2	16	2.0	2.0
3	沈绪榜		3	43	3.0	3.0