双层InGaAs沟道InP HEMT

• 作者: 刘训春 尹军舰 张海英 汪宁 牛洁斌 陈立强
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: HEMT InP 双沟道 迁移率
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 15-17
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 字数: 2011字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.01.005

摘要

阐述了一种新型的In0.80Ga0.20As/In0.53Ga0.47As双沟道InP HEMT结构.采用这种双沟道结构能够有效地提高沟道中电子的迁移率,减小碰撞电离对HEMT性能的影响;从而既显著提高了HEMT的截止频率,又可获得很高的直流输出电流.0.35 μm栅长HEMT器件的电流增益截止频率达到120 GHz,饱和电流密度、跨导达到790 mA/mm 、1 050 mS/mm,栅极击穿电压和通态击穿电压分别为5 V和3.2 V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
2	尹军舰	中国科学院微电子研究所	31	99	6.0	7.0
3	刘训春	中国科学院微电子研究所	43	222	9.0	11.0
4	陈立强	中国科学院微电子研究所	14	62	4.0	7.0
5	牛洁斌	中国科学院微电子研究所	12	43	4.0	6.0
6	汪宁	中国科学院微电子研究所	9	46	4.0	6.0