一种InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法

• 作者: 刘亮 刘训春 宋雨竹 尹军舰 张海英 徐静波 李潇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InP InGaAs/InP 复合沟道 高电子迁移率晶体管 模拟
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1706-1711
• 页数: 6页
• 分类号: TN302
• 字数: 480字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.11.008

摘要

采用一种新方法对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了模拟.该方法通过流体力学模型和密度梯度模型的联合求解,得到了沟道内的电子密度分布.与一些传统方法相比,该方法收敛性更好,速度更快,且同样适用于其他类型高电子迁移率晶体管器件的模拟.利用仿真对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了深入研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静波	中国科学院微电子研究所	15	55	4.0	6.0
2	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
3	尹军舰	中国科学院微电子研究所	31	99	6.0	7.0
4	刘亮	中国科学院微电子研究所	87	679	10.0	25.0
5	李潇	中国科学院微电子研究所	23	130	7.0	10.0
6	刘训春	中国科学院微电子研究所	43	222	9.0	11.0
7	宋雨竹	中国科学院微电子研究所	2	10	1.0	2.0