碳化硅MOSFET反型沟道迁移率的研究

• 作者: 姬慧莲 李跃进 杨银堂 柴常春 郭中和
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 碳化硅 界面态 反型沟道迁移率 阈值电压
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 66-69
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2003.04.021

摘要

SiC MOSFET是制作高速、低功耗开关功率器件的理想材料,然而,制作反型沟道迁移率较高的SiCMOSFET工艺尚未取得满意结果.通过在NO中高温退火可以显著地提高4H-SiC MOSFET的有效沟道迁移率;采用H2中退火制作的4H-SiC MOSFET阈值电压为3.1V,反型沟道迁移率高于100cm2/Vs的栅压的安全工作区较宽.N2O退火技术由于其的安全性而发展迅速并将取代NO.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂		420	2932	23.0	32.0
2	李跃进		70	432	11.0	17.0
3	柴常春		80	592	15.0	19.0
4	姬慧莲		6	15	3.0	3.0
5	郭中和		4	11	2.0	3.0