反应烧结碳化硅的显微组织气孔率及电阻率

• 作者: 吕振林 熊流峰 金志浩 高积强
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 碳化硅 反应烧结 电阻率
• 年，卷（期）: 1999,（4）
• 页码范围: 48-51
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987X.1999.04.012

摘要

研究了反应烧结碳化硅及随后经1 650 ℃和1 800 ℃除硅处理后,材料的显微组织与电阻率之间的关系.反应烧结碳化硅显微组织中有约20%的游离硅存在,气孔率极低,电阻率也很低(0.023 Ω*cm).经1 650 ℃和1 800 ℃除硅处理后,材料的气孔率增加,密度降低,电阻率增加;经过1 800 ℃除硅处理后,显微组织中还发生了βSiC向αSiC的转变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高积强		69	664	17.0	20.0
2	金志浩		325	5024	34.0	51.0
3	吕振林		5	55	4.0	5.0
4	熊流峰		2	12	2.0	2.0