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摘要:
研究了液态硅参与下的反应烧结碳化硅的工艺参数、显微组织对其电阻率的影响.随着烧结气氛压力和成型压力增加,反应烧结碳化硅中游离硅量减少,电阻率增加.其烧结机理以碳的溶解及碳化硅的淀析过程为主.
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文献信息
篇名 反应烧结碳化硅的显微组织及其导电性的研究
来源期刊 硅酸盐通报 学科 工学
关键词 碳化硅 显微组织 电阻率
年,卷(期) 1999,(5) 所属期刊栏目 研究工作快报
研究方向 页码范围 51-54
页数 4页 分类号 TQ17
字数 1977字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-1625.1999.05.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 高积强 西安交通大学材料科学与工程学院 69 664 17.0 20.0
2 金志浩 西安交通大学材料科学与工程学院 325 5024 34.0 51.0
3 吕振林 120 930 16.0 21.0
4 王红洁 西安交通大学材料科学与工程学院 57 568 15.0 20.0
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研究主题发展历程
节点文献
碳化硅
显微组织
电阻率
研究起点
研究来源
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硅酸盐通报
月刊
1001-1625
11-5440/TQ
16开
北京市朝阳区东坝红松园1号中材人工晶体研究院733信箱
80-774
1980
chi
出版文献量(篇)
8598
总下载数(次)
10
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58151
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