添加元素对反应烧结碳化硅导电特性的影响

• 作者: 吕振林 王红洁 金志浩 高积强
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 碳化硅 掺杂 电阻率
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 页码范围: 92-94
• 页数: 3页
• 分类号: TQ174.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987X.2000.02.021

摘要

研究了Ni、Mo和Al元素对反应烧结碳化硅导电特性的影响.试样通过室温、高温电阻率的测定和显微组织分析,可知在室温与高温下,加入Ni、Mo和Al均可明显降低反应烧结碳化硅的电阻率,随着Ni、Mo和Al加入量的增加,碳化硅的室温电阻率也下降.其中,Ni、Mo对反应烧结碳化硅电阻率的影响比Al大.在烧结过程中,Ni、Mo分别与液态Si反应,并在碳化硅粒子界面处生成Ni2Si3和Mo3Si5相,Al则固溶在碳化硅和游离硅中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高积强		69	664	17.0	20.0
2	金志浩		325	5024	34.0	51.0
3	王红洁		57	568	15.0	20.0
4	吕振林		5	55	4.0	5.0