MoSi2添加对再结晶碳化硅(R-SiC)微观结构和体积电阻率的影响

• 作者: 公伟伟 汪文祥 肖汉宁 高朋召
• 来源期刊: 湖南大学学报（自然科学版）
• 关键词: 碳化硅 MoSi2 力学性能 体积电阻率
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 69-73
• 分类号: TB35
• 语种: 中文

摘要

在一定粗细颗粒配比的SiC粉体中添加不同量的MoSi2,进而在2 300℃烧结得到MoSi2/R-SiC复合材料.采用SEM,XRD,力学性能测试、阻抗分析仪等方法研究了MoSi2添加量对复合材料微观结构、组成、力学和电学性能的影响.结果表明:在2 300℃所得的复合材料中,SiC为6H型,MoSi2转化为六方晶型的M04.8 Si3 C0.6,其主要原因是高温下液相MoSi2运渐失去Si,同时与SiC发生反应转变为低硅含量的硅铝炭化合物所致.硅铝炭化合物主要以涂层的形式包覆在SiC颗粒的表面,随添加量的增加,涂层逐渐增厚,当添加量超过10%,部分M04.8Si3C0.6填充在SiC空隙中;复合材料的密度和表观气孔率随MoSi2添加量的增加逐渐增加,力学性能变化不大,但体积电阻率显著降低.同时对所得材料的导电机理进行了初步的探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖汉宁	湖南大学材料科学与工程学院	169	1990	24.0	35.0
2	高朋召	湖南大学材料科学与工程学院	56	298	9.0	15.0
3	汪文祥	湖南大学材料科学与工程学院	5	24	3.0	4.0
4	公伟伟	湖南大学材料科学与工程学院	5	14	3.0	3.0