磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管击穿特性研究

• 作者: 刘亮 叶甜春 尹军舰 张海英 徐静波 李潇 黎明 龚敏
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 磷化铟 高电子迁移率晶体管 密度梯度模型 击穿
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4117-4121
• 页数: 5页
• 分类号: O6
• 字数: 2979字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.079

摘要

用密度梯度量子模型定量研究了磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的击穿特性,考虑了复合沟道内碰撞电离以及沟道量子效应,重点研究了器件击穿电压随In0.7Ca0.3As沟道厚度的变化关系,提出了提高击穿电压的方法,采用商用器件模拟软件Sentaurus模拟了器件的开态击穿电压,对比了实验和模拟的结果.研究表明:适当减小In0.7Ga0.3As沟道层的厚度可以在保持器件饱和电流基本不变的前提下大幅度提高开态击穿电压,这对于提高InP基HEMT的功率性能具有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静波	中国科学院微电子研究所	15	55	4.0	6.0
2	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
3	尹军舰	中国科学院微电子研究所	31	99	6.0	7.0
4	刘亮	中国科学院微电子研究所	87	679	10.0	25.0
5	李潇	四川大学物理科学与技术学院	23	130	7.0	10.0
9	叶甜春	中国科学院微电子研究所	200	911	14.0	18.0
10	黎明	中国科学院微电子研究所	41	329	12.0	17.0
11	龚敏	四川大学物理科学与技术学院	109	372	10.0	12.0