一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型

• 作者: 刘亮 叶甜春 尹军舰 张海英 李海鸥 李潇 龚敏
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 复合沟道 物理模型 磷化铟
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3617-3621
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2699字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.070

摘要

针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点,对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正,提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型,用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证,对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线,重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势,研究结果表明,由于在沟道中存在量子效应,在栅下靠源端低电场区域,电流主要分布在InGaAs沟道,而在靠漏端高电场区域,电流主要分布在InP沟道,电流在InGaAs与InP沟道中的分配比例随着栅压的变化而变化,从而验证了新模型的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
2	尹军舰	中国科学院微电子研究所	31	99	6.0	7.0
3	刘亮	中国科学院微电子研究所	87	679	10.0	25.0
4	李潇	四川大学物理科学与技术学院	23	130	7.0	10.0
8	叶甜春	中国科学院微电子研究所	200	911	14.0	18.0
9	龚敏	四川大学物理科学与技术学院	109	372	10.0	12.0
10	李海鸥	中国科学院微电子研究所	6	22	3.0	4.0