一种新的高电子迁移率晶体管Ⅰ-Ⅴ解析模型

• 作者: 侯卫周 向兵
• 来源期刊: 郑州大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 模型 二维电子气 速度-场
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 31-34
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.3
• 字数: 2753字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-6833.2008.03.008

摘要

随着通信技术的发展,HEMT器件的栅长变得越来越短,而早期的速度-场经验公式随着栅长的不断减小已不能精确地描述这种变化.通过对现有的速度-场经验公式的计算机模拟仿真,发现其与实测的文献数据之间存在一定的误差,因而提出一种改进的速度-场经验公式.在线性电荷控制模型的基础上,考虑沟道长度调制效应,解析出一种新的高电子迁移率晶体管(HEMT)Ⅰ-Ⅴ模型.仿真结果表明,该模型具有较高的精度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯卫周	河南大学物理与电子学院	46	201	8.0	11.0
2	向兵	河南大学物理与电子学院	17	60	4.0	7.0