高功率微波作用下高电子迁移率晶体管的损伤机理

• 作者: 刘阳 孙静 方进勇 李志鹏 李晶
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 高功率微波 损伤机理
• 年，卷（期）: 2016,（16）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 168501-1-168501-8
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.65.168501

摘要

本文针对高电子迁移率晶体管在高功率微波注入条件下的损伤过程和机理进行了研究,借助Sentaurus-TCAD仿真软件建立了晶体管的二维电热模型,并仿真了高功率微波注入下的器件响应.探索了器件内部电流密度、电场强度、温度分布以及端电流随微波作用时间的变化规律.研究结果表明,当幅值为20 V,频率为14.9 GHz的微波信号由栅极注入后,器件正半周电流密度远大于负半周电流密度,而负半周电场强度高于正半周电场.在强电场和大电流的共同作用下,器件内部的升温过程同时发生在信号的正、负半周内.又因栅极下靠近源极侧既是电场最强处,也是电流最密集之处,使得温度峰值出现在该处.最后,对微波信号损伤的高电子迁移率晶体管进行表面形貌失效分析,表明仿真与实验结果符合良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘阳	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室	17	37	3.0	5.0
2	孙静		4	2	1.0	1.0
3	方进勇		7	10	2.0	2.0
4	李志鹏		4	3	1.0	1.0