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摘要:
在模拟集成电路的抗高功率微波加固研究中,对电路中的单个晶体管进行高功率微波损伤机理研究.对晶体管进行洲入微波损伤效应实验和失效分析,得到了双极型晶体管损伤的基本规律.损伤效应实验采用注入法,分别从晶体管的三极注入微波,得到了损伤结果.对样品进行的失效分析探明了器件的损伤部位和失效机理.结果表明,高功率微波注入主要造成B-E结的退化和损伤;从基极注入微波最易损伤晶体管,而从集电极注入则相反.
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文献信息
篇名 双极型晶体管高功率微波的损伤机理
来源期刊 强激光与粒子束 学科 工学
关键词 高功率微波 晶体管 损伤 失效分析
年,卷(期) 2010,(6) 所属期刊栏目 高功率微波
研究方向 页码范围 1319-1322
页数 分类号 TN015
字数 2617字 语种 中文
DOI 10.3788/HPLPB20102206.1319
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 贾新章 10 150 5.0 10.0
2 范菊平 7 117 6.0 7.0
6 张玲 1 32 1.0 1.0
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高功率微波
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失效分析
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强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
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