硅脉冲双极型微波功率管参数退化探索

• 作者: 廖超 李斌 来萍 潘金辉
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 微波功率晶体管 参数退化 功率增益 饱和压降 击穿电压
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 可靠性物理与失效分析技术
• 页码范围: 28-31
• 页数: 4页
• 分类号: TN323+.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2009.01.008

摘要

首先提出了硅脉冲双极型微波功率晶体等在应用中会出现功率增益、饱和压降以及EB结反向击穿电压参数的退化现象,并对此进行了研究探索.测试了良品和失效品EB结的正向特性和C-V特性.通过比较分析两者的区别,从理论推导并得出了退化的一大原因是由于基区浓度值的减小以及浓度梯度降低的结论.分析表明,导致基区浓度发生变化的原因是器件长期工作在高温下而发生了杂质再扩散.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	华南理工大学电子与信息学院	128	542	12.0	17.0
2	来萍		7	6	2.0	2.0
3	廖超	华南理工大学电子与信息学院	2	5	2.0	2.0
5	潘金辉	华南理工大学电子与信息学院	1	3	1.0	1.0