SiGe异质结双极型晶体管的高功率微波效应与机理

• 作者: 刘彧千 吴涵 李赟 杨银堂 柴常春
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 异质结双极型晶体管 高功率微波 损伤效应 机理分析
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 电磁场与电磁波
• 页码范围: 29-34
• 页数: 6页
• 分类号: TN322.8
• 字数: 3243字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2019.030503

摘要

为了研究射频前端低噪声放大器的高功率微波效应,利用仿真软件构建了NPN型SiGe异质结双极型晶体管的器件模型,采用多晶硅作为发射极,SiGe作为器件的基极,研究了集电极和基极分别注入高功率微波时,器件内部温度的变化规律,分析了高功率微波的效应机理.结果 表明,高功率微波注入集电极时,器件内部峰值温度呈现周期性的“上升-下降-上升-下降”趋势,直至最终烧毁,烧毁位置在集电结与氧化层交界处;当高功率微波注入基极时,由于器件的发射极尺寸很小,产生的电流密度很大,热量无法耗散,器件的多晶硅发射结最终被烧毁.SiGe异质结双极型晶体管的集电极抗高功率微波的能力要强于基极.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院	420	2932	23.0	32.0
2	刘彧千	西安电子科技大学微电子学院	6	2	1.0	1.0
3	柴常春		3	0	0.0	0.0
4	吴涵	西安电子科技大学微电子学院	2	0	0.0	0.0
5	李赟		1	0	0.0	0.0