原文服务方: 西安交通大学学报       
摘要:
建立了电热耦合和损耗热场耦合计算模型,采用该模型,获得了相同外部条件下的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片结温波动特性及温度分布特征,完成了使用红外热成像实时探测短时脉冲工作方式下IGBT芯片表面温度波动及分布特性的预测.探测结果表明,在一定散热条件和占空比不大的情况时,短时脉冲间歇等非周期瞬态工作方式下芯片表面温度快速上升之后,进入一个缓慢的上升周期,实验也表明,在特殊工作场合时可突破器件手册推荐使用的最大电流值.利用建立的热分析模型,还可以实现对不同工作方式下器件结壳温差和结温波动幅度的预测.
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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 绝缘栅双极型晶体管脉冲工作时结温特性及温度分布研究
来源期刊 西安交通大学学报 学科
关键词 绝缘栅双极型晶体管 短时脉冲 结温特性 温度分布 电热耦合
年,卷(期) 2012,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 70-76
页数 分类号 TM322
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 胡安 海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室 47 1089 14.0 32.0
2 陈明 海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室 22 755 15.0 22.0
3 汪波 海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室 20 480 13.0 20.0
4 唐勇 海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室 26 632 14.0 25.0
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研究主题发展历程
节点文献
绝缘栅双极型晶体管
短时脉冲
结温特性
温度分布
电热耦合
研究起点
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相关学者/机构
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西安交通大学学报
月刊
0253-987X
61-1069/T
大16开
1960-01-01
chi
出版文献量(篇)
7020
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81310
论文1v1指导