高电子迁移率晶体管放大器高功率微波损伤机理

• 作者: 李平 闫涛
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 低噪声放大器 高功率微波 不同端口
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 所属期刊栏目: 高功率微波
• 页码范围: 103002-1-103002-5
• 页数: 1页
• 字数: 2364字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201628.151206

摘要

在 TCAD 半导体仿真环境中，建立了0.25μm 栅长的 AlGaAs/InGaAs 高电子迁移率晶体管(HEMT)低噪声放大器与微波脉冲作用的仿真模型，基于器件内部的电场强度、电流密度和温度分布的变化，研究了1 GHz 的微波从栅极和漏极注入的损伤机理。研究结果表明，从栅极注入约40.1 dBm 的微波时， HEMT 内部峰值温度随着时间的变化振荡上升，最终使得器件失效，栅下靠源侧电流通道和强电场的同时存在使得该位置最容易损伤；从漏极注入微波时，注入功率的高低会使器件内部出现不同的响应过程，注入功率存在一个临界值，高于该值，器件有可能在第一个周期内损伤，损伤位置均在漏极附近。在1 GHz 的微波作用下，漏极注入比栅极注入更难损伤。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李平	西北核技术研究所高功率微波技术重点实验室	14	130	5.0	11.0
2	闫涛	西北核技术研究所高功率微波技术重点实验室	2	4	1.0	2.0