一种紧凑的GaN高电子迁移率晶体管大信号模型拓扑

• 作者: 孔月婵 秦桂霞 蒋浩 韩克锋
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓高电子迁移率晶体管 大信号模型 非线性 收敛性
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 501-506
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.2|TN325+.3
• 字数: 3016字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2018.02.033

摘要

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)以其复杂的器件特性使其大信号建模变得十分困难,尽管EEHE-MT、Angelov等模型结构曾经成功应用于GaAs HEMT/MESFET的大信号模型,但当它们被用于GaN HEMT建模时却不再准确和完备.面向 GaN HEMT器件的大信号模型,本文提出了一种紧凑的模型拓扑,此模型拓扑综合了 GaN HEMT器件的直流电压-电流(I-V)特性、非线性电容、寄生参数、栅延迟漏延迟与电流崩塌、自热效应以及噪声等特性.经验证此模型拓扑在仿真中具有很好的收敛性,适用于GaN HEMT器件的大信号模型的建立,满足GaN基微波电路设计对器件模型的需求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋浩		2	8	2.0	2.0
2	孔月婵		4	3	1.0	1.0
3	韩克锋		1	2	1.0	1.0
4	秦桂霞		1	2	1.0	1.0