高电子迁移率晶体管材料结构的制备及分析

• 作者: 吴卫东 周民杰 唐永建 彭丽萍 沈昌乐 王雪敏 罗跃川 赵妍 阎大伟 黎维华
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 多层结构 双δ掺杂
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 太赫兹科学技术
• 页码范围: 536-540
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.07
• 字数: 2611字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201304.0536

摘要

针对高电子迁移率晶体管(HEMT)器件，分析了双δ掺杂 GaAs HEMT的结构组成，基于固源分子束外延方法制备了双δ掺杂 GaAs HEMT的缓冲层、沟道层、平面掺杂层和隔离层等多层材料结构。采用 X-ray射线衍射、透射电镜研究了多层材料的结构。范德堡霍尔测试结果表明， HEMT的2DEG测试浓度为1.82×1012 cm-3，电子迁移率大于6520 cm2·V-1·s-1。