InGaAs/InP界面控制对InGaAs薄膜电学和光学性质 的影响

• 作者: 张亚光 李宝宝 郑文龙 陈平平 陈泽中 顾溢
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaAs 界面控制 迁移率 光致发光
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 页码范围: 751-757
• 页数: 7页
• 分类号: O78
• 字数: 5084字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2019.06.012

摘要

研究了全固态源分子束外延(MBE)生长InGaAs/InP异质结界面扩散对InGaAs外延薄膜电学和光学性质的影响.通过X射线衍射、变温霍尔测试和变温光致发光等方法对InGaAs薄膜样品进行细致研究.发现在InGaAs/InP界面之间插入一层利用As4生长的InGaAs过渡层,能够显著改善上层InGaAs(利用As2生长)外延薄膜的电学性能,其低温迁移率显著提高.同时荧光峰反常蓝移动消失,光学性质有所改善.研究表明利用As4生长InGaAs过渡层,可显著降低As在InP中反常扩散,获得陡峭的InGaAs/InP界面,从而提高InGaAs材料电学和光学性能.