Ar+刻蚀对InGaAs,n-InP和p-InP表面损伤及消除

• 作者: 吕衍秋 吴小利 洪学鹍 越方禹 陈江峰 韩冰 龚海梅
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ar+刻蚀 InGaAs InP 湿法腐蚀 表面损伤
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 122-126
• 页数: 5页
• 分类号: TN21
• 字数: 2253字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.01.026

摘要

研究了Ar+刻蚀对InGaAs,n-InP和p-InP表面的损伤,并用湿法腐蚀后处理消除损伤.Ar +刻蚀后InGaAs表面均方根粗糙度较小,而n-InP和p-InP表面明显变粗糙.刻蚀后InGaAs PL强度增加,而n-InP和p-InP PL强度都减小.用XPS分析了未刻蚀、Ar+刻蚀和湿法腐蚀后处理三种情况下样品表面原子含量.刻蚀后InGaAs表面In和Ga含量明显增加,n-InP和p-InP表面有严重P缺失.湿法腐蚀后,样品表面原子含量和未刻蚀前基本一致.