InGaAs/InP量子阱和量子线的光学性质

• 作者: 何国敏 刘宝林 王仁智 郑永梅
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 有效质量理论 量子线 光学增益
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学·技术科学
• 页码范围: 169-174
• 页数: 6页
• 分类号: O471.5
• 字数: 2047字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.2000.02.006

摘要

采用有效质量理论6带模型,研究量子结构变化对In0.53Ga0.47 As/InP量子阱和量子线光学性质的影响.计算结果表明量子线结构可以在更低的注入电子浓度下,得到更高的光学增益,而且具有光学各向异性.说明量子线结构比量子阱结构提高了量子激光器光学性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘宝林	厦门大学物理学系	30	167	9.0	11.0
2	王仁智	厦门大学物理学系	14	35	3.0	5.0
3	郑永梅	厦门大学物理学系	10	18	3.0	3.0
4	何国敏	厦门大学物理学系	7	12	2.0	3.0