InGaAs/GaAs应变量子阱的光谱研究

• 作者: 吴正云 孔令民 杨克勤 林雪娇 沈文忠 蔡加法
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaAs/GaAs应变量子阱 形态势模型 时间分辨谱
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 549-553
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2900字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2002.06.003

摘要

分别用光致发光谱(PL)、光伏谱(PB)及时间分辨谱(TRPL)的方法,测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱和多量子阱在不同温度下的光谱,发现单量子阱与多量子阱有不同的光学性质.多量子阱PL谱发光峰和PV谱激子峰的强度与半高宽都比单量子阱的大,但单量子阱的半高宽随着温度的升高增大很快,这是由激子-声子耦合引起的.通过时间分辨谱研究发现了量子阱子能级之间的跃迁,多量子阱的发光寿命明显比单量子阱的长.我们利用形变势模型对量子阱的能带进行了计算,很好地解释了实验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡加法	厦门大学物理系	27	107	6.0	8.0
2	吴正云	厦门大学物理系	33	190	7.0	12.0
3	孔令民	厦门大学物理系	8	24	4.0	4.0
4	杨克勤	厦门大学物理系	3	16	3.0	3.0
5	林雪娇	厦门大学物理系	4	19	3.0	4.0